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技术文档
型号
BLF242
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BLF242
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET, RF, SOT-123; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:1A; Power Dissipation Pd:5W; Noise Figure
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BLF242详情
技术参数
NXP BLF242重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
KYOCERA AVX
Product Status
活跃
Package Description
SOT-123A, 4 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
SOT123A
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.29
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
1 A
系列
*
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
子类别
FET 通用电源
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
16 W
最高频段
甚高频段
环境耗散-最大值
功率增益-最小值(Gp)
13 dB
BLF242拓展信息
公司资质
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