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NXP BLF645

Name: BLF645
Brand: NXP
SKU: 1786-BLF645
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BLF645

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BLF645

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LDMOS,RF,100W,HF-1300MHZ,65V; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:32A; Operating Frequency Range

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BLF645 NXP LDMOS,RF,100W,HF-1300MHZ,65V; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:32A; Operating Frequency Range

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BLF645详情

技术参数

NXP BLF645重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

5
晶体管元件材料

SILICON
Drain Current-Max (ID)

32 A
Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS
Manufacturer

恩智浦半导体
Manufacturer Part Number

BLF645
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

200 °C
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F5
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code

Transferred
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Risk Rank

5.66
Rohs Code

有
ECCN 代码

EAR99
附加功能

HIGH RELIABILITY
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
引脚数量

5
JESD-30代码

R-CDFM-F5
资历状况

不合格
配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

65 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段

L带

0个相似型号

BLF645拓展信息

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