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NXP BLF6G38-10G

Name: BLF6G38-10G
Brand: NXP
SKU: 1786-BLF6G38-10G
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BLF6G38-10G

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BLF6G38-10G

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LDMOS, RF,10W, HF-3.6GHZ, SOT975C; Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:3.1A; Power Dissipation Pd:10W; Operating Frequency Min

起订量

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BLF6G38-10G NXP LDMOS, RF,10W, HF-3.6GHZ, SOT975C; Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:3.1A; Power Dissipation Pd:10W; Operating Frequency Min

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BLF6G38-10G详情

技术参数

NXP BLF6G38-10G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Package

Bulk
厂商

PEI-Genesis
Product Status

活跃
Package Description

ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Package Style

FLATPACK
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

200 °C
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

BLF6G38-10G
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

恩智浦半导体
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank

5.18
Drain Current-Max (ID)

3.1 A
系列

*
无铅代码

有
ECCN 代码

EAR99
子类别

FET 通用电源
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
引脚数量

2
JESD-30代码

R-CDFP-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1 A
DS 击穿电压-最小值

65 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段

L带

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