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技术文档
型号
BLF7G22L-130
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BLF7G22L-130
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BLF7G22L-130 datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
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BLF7G22L-130详情
技术参数
NXP BLF7G22L-130重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
Production (Last Updated: 3 years ago)
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
介电材料
Tantalum
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
25 V
Voltage Rating (DC)
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.54
Drain Current-Max (ID)
28 A
包装
Tape & Reel (TR)
容差
10 %
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
电容量
6.8 µF
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
深度
3.2 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
箱码(公制)
6032
箱码(英制)
2412
ESR(等效串联电阻)
2 Ω
极性
Polar
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
耗散因数
6 %
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
特征
通用型
宽度
高度
2.8 mm
长度
6 mm
座位高度(最大)
2.794 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
BLF7G22L-130拓展信息
公司资质
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