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技术文档
型号
BLF881
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BLF881
商品类别
无类别的
封装
Axial
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Uhf Band Si N-channel Rf Power Mosfet
起订量
1最小包装量--
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BLF881详情
技术参数
NXP BLF881重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
表面安装
YES
引脚数
3
供应商器件包装
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.08
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
VTA
尺寸/尺寸
0.260 Dia x 0.500 L (6.60mm x 12.70mm)
容差
±0.1%
终止次数
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±8ppm/°C
电阻
7 kOhms
最高工作温度
组成
金属箔
功率(瓦特)
0.3W
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
失败率
-
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
104 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
3.7 A
DS 击穿电压-最小值
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
特征
Non-Inductive
座位高度(最大)
达到SVHC
无SVHC
BLF881拓展信息
公司资质
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