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技术文档
型号
BLS6G2933S-130
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BLS6G2933S-130
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BLS6G2933S-130 datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
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BLS6G2933S-130详情
技术参数
NXP BLS6G2933S-130重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
225 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.66
Drain Current-Max (ID)
33 A
系列
pushPIN™
无铅代码
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFP-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.590 (15.00mm)
强制空气流动时的热阻
5.21°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
自然环境下的热阻
最高频段
S带
温度上升时的耗散功率
宽度
2.362 (60.00mm)
长度
直径
BLS6G2933S-130拓展信息
公司资质
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