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技术文档
型号
BLS6G3135-20
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BLS6G3135-20
商品类别
无类别的
封装
Axial
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
LDMOS, RF, 20W, 3100M-3500MHZ, 32V; Transistor Type: RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds: 60V; Continuous Drain...
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BLS6G3135-20详情
技术参数
NXP BLS6G3135-20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
--
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.02
Drain Current-Max (ID)
2.1 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
MBB/SMA 0207 - Professional
包装
Tape & Box (TB)
尺寸/尺寸
0.098 Dia x 0.256 L (2.50mm x 6.50mm)
容差
±0.5%
无铅代码
零件状态
活跃
终止次数
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±25ppm/°C
电阻
2.71 kOhms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.6W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
失败率
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
特征
座位高度(最大)
BLS6G3135-20拓展信息
公司资质
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