BLS6G3135-20
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NXP BLS6G3135-20

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型号

BLS6G3135-20

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BLS6G3135-20

商品类别

无类别的

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LDMOS, RF, 20W, 3100M-3500MHZ, 32V; Transistor Type: RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds: 60V; Continuous Drain...

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BLS6G3135-20 NXP LDMOS, RF, 20W, 3100M-3500MHZ, 32V; Transistor Type: RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds: 60V; Continuous Drain...

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BLS6G3135-20详情

NXP BLS6G3135-20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    --

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BLS6G3135-20

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.02

  • Drain Current-Max (ID)

    2.1 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    MBB/SMA 0207 - Professional

  • 包装

    Tape & Box (TB)

  • 尺寸/尺寸

    0.098 Dia x 0.256 L (2.50mm x 6.50mm)

  • 容差

    ±0.5%

  • 无铅代码

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    ±25ppm/°C

  • 电阻

    2.71 kOhms

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.6W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 失败率

    --

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    S带

  • 特征

    --

  • 座位高度(最大)

    --

0个相似型号

BLS6G3135-20拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS