NXP BSH112

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

0.3 A

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Manufacturer

恩智浦半导体

Manufacturer Part Number

BSH112

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

Transferred

Part Package Code

SOT-23

Reflow Temperature-Max (s)

40

Risk Rank

2.95

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.3 A

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.83 W

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF