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技术文档
型号
BSN10
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BSN10
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
175 Ma 50 V N-channel Si Small Signal Mosfet TO-92
起订量
1最小包装量--
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BSN10详情
技术参数
NXP BSN10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.76
Part Package Code
TO-92
Drain Current-Max (ID)
0.175 A
系列
*
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
20 Ω
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.83 W
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
BSN10拓展信息
公司资质
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