BSP89
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NXP BSP89

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型号

BSP89

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BSP89

商品类别

无类别的

封装

DO-204AC, DO-15, Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transisto

起订量

--最小包装量--

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BSP89 NXP N-channel enhancement mode vertical D-MOS transisto

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BSP89详情

NXP BSP89重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    DO-204AC, DO-15, Axial

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    DO-204AC (DO-15)

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Box (TB)

  • Base Product Number

    SA24

  • 厂商

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BSP89

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    1.33

  • Part Package Code

    SOT-223

  • Drain Current-Max (ID)

    0.35 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    TransZorb®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 应用

    通用型

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    26.7V

  • 功率 - 脉冲峰值

    500W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    11.6A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    43V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    24V

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 单向通道

    1

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 电容@频率

    -

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.34 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    6 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    1.4 A

  • DS 击穿电压-最小值

    240 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.5 W

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BSP89拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS