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技术文档
型号
BSR52
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BSR52
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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BSR52详情
技术参数
NXP BSR52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
触点镀层
Gold
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
500 ns
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Turn-off Time-Max (toff)
1300 ns
Risk Rank
5.76
Part Package Code
TO-92
JESD-609代码
e3
终端
Crimp
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
性别
Female
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
方向
Straight
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
深度
30.96 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
镀层
Cadmium
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
最大耗散功率(Abs)
0.83 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
2000
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
1.6 V
长度
32.74 mm
辐射硬化
无
BSR52拓展信息
公司资质
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