BUJ105A
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NXP BUJ105A

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型号

BUJ105A

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUJ105A

商品类别

无类别的

封装

2-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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BUJ105A NXP Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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BUJ105A详情

NXP BUJ105A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    2-SMD, No Lead

  • 表面安装

    NO

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    435F

  • 厂商

    CTS-Frequency Controls

  • Product Status

    活跃

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUJ105A

  • Manufacturer

    Philips Semiconductors

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Risk Rank

    5.53

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C

  • 系列

    435

  • 尺寸/尺寸

    0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

  • JESD-609代码

    e3

  • 类型

    兆赫晶体

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 子类别

    其他晶体管

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    24.576 MHz

  • 频率稳定性

    ±30ppm

  • ESR(等效串联电阻)

    40 Ohms

  • 配置

    Single

  • 负载电容

    20pF

  • 操作模式

    Fundamental

  • 频率容差

    ±25ppm

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    80 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    6 A

  • 最小直流增益(hFE)

    10

  • 座位高度(最大)

    0.043 (1.10mm)

  • 评级结果

    -

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BUJ105A拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS