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技术文档
型号
BUJ302AX
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUJ302AX
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
4 A 400 V NPN Si Power Transistor TO-220AB
起订量
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BUJ302AX详情
技术参数
NXP BUJ302AX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
RoHS
Compliant
Package Description
TO-220F
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
WeEn Semiconductor Co Ltd
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
Risk Rank
5.42
系列
*
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
最高工作温度
150 °C
电容量
-220 F
最大功率耗散
26 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
集电极发射器电压(VCEO)
JEDEC-95代码
TO-220AB
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
25
集电极-发射器电压-最大值
达到SVHC
无SVHC
BUJ302AX拓展信息
公司资质
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