NXP BUJD103-AD

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

TO-263AB

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

7.5A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUJD103AD

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

Risk Rank

5.47

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最大功率耗散

80 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

速度

Fast Recovery = 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

50µA @ 60V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

730mV @ 7.5A

箱体转运

COLLECTOR

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

晶体管应用

SWITCHING

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

60V

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

JEDEC-95代码

TO-252

二极管配置

1 Pair Common Cathode

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

13

集电极-发射器电压-最大值

400 V

达到SVHC

无SVHC