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技术文档
型号
BUK444-800B
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUK444-800B
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BUK444-800B datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
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BUK444-800B详情
技术参数
NXP BUK444-800B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
60 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Turn-off Time-Max (toff)
105 ns
Risk Rank
5.91
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
1.2 A
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
类型
顶部安装
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.394 (10.00mm)
强制空气流动时的热阻
18.14°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.8 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
30 W
自然环境下的热阻
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
温度上升时的耗散功率
环境耗散-最大值
宽度
2.126 (54.00mm)
长度
2.126 (54.01mm)
直径
BUK444-800B拓展信息
公司资质
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