BUK720840B
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NXP BUK720840B

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型号

BUK720840B

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK720840B

商品类别

无类别的

封装

1210 (3225 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK / TrenchMOS standard level FET

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BUK720840B NXP Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK / TrenchMOS standard level FET

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BUK720840B详情

NXP BUK720840B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, MLCC

  • 包装/外壳

    1210 (3225 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    C1210T

  • 厂商

    KEMET

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    50V

  • Package Description

    PLASTIC, SC-63, DPAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    185 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK7208-40B

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    3.72

  • Part Package Code

    TO-252

  • Drain Current-Max (ID)

    75 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    SMD COTS X7R

  • 尺寸/尺寸

    0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

  • 容差

    ±10%

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    X7R

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 应用

    High Reliability, Bypass, Decoupling

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 电容量

    0.47 µF

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 失败率

    -

  • 引线间距

    -

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 引线样式

    -

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    75 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0156 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    420 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    242 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    150 W

  • 特征

    -

  • 座位高度(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    0.041 (1.05mm)

  • 评级结果

    COTS

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BUK720840B拓展信息

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公司资质

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