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NXP BUK753R8-80E

Name: BUK753R8-80E
Brand: NXP
SKU: 1786-BUK753R8-80E
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BUK753R8-80E

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK753R8-80E

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:349W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins

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BUK753R8-80E NXP ):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:349W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins

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BUK753R8-80E详情

技术参数

NXP BUK753R8-80E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

BUK753R8-80E
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Nexperia
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

NEXPERIA
Risk Rank

5.82
Drain Current-Max (ID)

120 A
JESD-609代码

e3
端子表面处理

Tin (Sn)
附加功能

雪崩额定
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

not_compliant
参考标准

AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码

R-PSFM-T3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

0.004 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

758 A
DS 击穿电压-最小值

80 V
雪崩能量等级（Eas）

488 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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