NXP BUK761R8-30C

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

312 A

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Manufacturer

恩智浦半导体

Manufacturer Part Number

BUK761R8-30C

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

PLASTIC, D2PAK-3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

Transferred

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.74

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

1800 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1249 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

1700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

333 W