NXP BUK7735-55A，127

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

NO

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

BUK7735-55A,127

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.76

Part Package Code

TO-220F

Drain Current-Max (ID)

20 A

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

系列

--

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

基本部件号

ISL8843A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

功能

Step-Up, Step-Up/Step-Down

输出的数量

1

资历状况

不合格

输出类型

晶体管驱动器

Brand Name

恩智浦半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输出配置

Positive, Isolation Capable

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

9 V ~ 30 V

箱体转运

ISOLATED

控制功能

Current Limit, Frequency Control

拓扑

Boost, Flyback

晶体管应用

SWITCHING

频率开关

Up to 2MHz

同步整流器

无

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

漏极-源极导通最大电阻

0.035 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

79 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

123 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

占空比（最大）

96%

串行接口

--

时间同步

无

输出相位

1