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NXP BUK7E4R6-60E

Name: BUK7E4R6-60E
Brand: NXP
SKU: 1786-BUK7E4R6-60E
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BUK7E4R6-60E

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK7E4R6-60E

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, N-CH, 60V, 100A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on

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BUK7E4R6-60E NXP MOSFET, N-CH, 60V, 100A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on

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BUK7E4R6-60E详情

技术参数

NXP BUK7E4R6-60E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS
Manufacturer

恩智浦半导体
Manufacturer Part Number

BUK7E4R6-60E
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

IN-LINE
Part Life Cycle Code

Transferred
Reflow Temperature-Max (s)

30
Risk Rank

5.76
Rohs Code

有
Drain Current-Max (ID)

100 A
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

TIN
附加功能

雪崩额定
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

245
Reach合规守则

unknown
参考标准

AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码

R-PSIP-T3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-262AA
漏极-源极导通最大电阻

0.0046 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

613 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
雪崩能量等级（Eas）

273 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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BUK7E4R6-60E拓展信息

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