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技术文档
型号
BUK7K18-40E
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUK7K18-40E
商品类别
无类别的
封装
0402 (1005 Metric)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET 40V Mosfet Dual N-Channel
起订量
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BUK7K18-40E详情
技术参数
NXP BUK7K18-40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
VJ0402
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
活跃
Voltage Rated
50V
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
24.2 A
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
VJ
尺寸/尺寸
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
容差
±10%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
温度系数
C0G, NP0
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
汽车
电容量
180 pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
失败率
-
引线间距
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
引线样式
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
127 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
26.3 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
高温
座位高度(最大)
厚度(最大)
0.024 (0.60mm)
评级结果
AEC-Q200
BUK7K18-40E拓展信息
公司资质
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