NXP BUK961R6-40E
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BUK961R6-40E
1786-BUK961R6-40E
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MOSFET, N CHANNEL, 40V, 120A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.00117ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes
1最小包装量--
BUK961R6-40E详情
NXP BUK961R6-40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK961R6-40E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.36
Drain Current-Max (ID)
120 A
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.500 (12.70mm)
强制空气流动时的热阻
26.38°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0016 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1363 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
1008 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
自然环境下的热阻
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温度上升时的耗散功率
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宽度
1.575 (40.00mm)
长度
2.362 (60.00mm)
直径
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BUK961R6-40E拓展信息







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