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BUK961R6-40E
BUK961R6-40E

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NXP BUK961R6-40E

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型号

BUK961R6-40E

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK961R6-40E

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, N CHANNEL, 40V, 120A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.00117ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes

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BUK961R6-40E
BUK961R6-40E NXP MOSFET, N CHANNEL, 40V, 120A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.00117ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes

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BUK961R6-40E详情

技术参数

NXP BUK961R6-40E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Aluminum

  • 形状

    Rectangular, Fins

  • 包装冷却

    Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

  • 材料处理

    蓝色阳极氧化

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    BUK961R6-40E

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    NEXPERIA

  • Risk Rank

    5.36

  • Drain Current-Max (ID)

    120 A

  • 系列

    pushPIN™

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    顶部安装

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 附着方法

    推销

  • 离底高度(鳍的高度)

    0.500 (12.70mm)

  • 强制空气流动时的热阻

    26.38°C/W @ 100 LFM

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0016 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    1363 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 雪崩能量等级（Eas）

    1008 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 自然环境下的热阻

    --

  • 温度上升时的耗散功率

    --

  • 宽度

    1.575 (40.00mm)

  • 长度

    2.362 (60.00mm)

  • 直径

    --

0个相似型号

BUK961R6-40E拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS