BUK9623-75A详情
NXP BUK9623-75A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Free Hanging (In-Line)
表面安装
YES
越来越多的功能
-
外壳材料
Aluminum
插入材料
-
终端数量
2
后壳材料,电镀
-
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
-
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
MS27473E24B
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Package Description
PLASTIC, D2PAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK9623-75A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.24
Drain Current-Max (ID)
53 A
操作温度
-65°C ~ 200°C
系列
Military, MIL-DTL-38999 Series II, JT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
终端
Crimp
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Plug, Female Sockets
定位的数量
24
端子表面处理
Tin (Sn)
颜色
橄榄色
应用
Aviation, Military
紧固类型
卡口锁
子类别
FET 通用电源
额定电流
-
端子位置
SINGLE
方向
N (Normal)
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Unshielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
not_compliant
外壳完成
橄榄色镉包镍
引脚数量
3
外壳尺寸-插入
24-24
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
外壳尺寸,MIL
-
箱体转运
DRAIN
电缆开口
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
53 A
漏极-源极导通最大电阻
0.026 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
213 A
DS 击穿电压-最小值
75 V
雪崩能量等级(Eas)
120 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
138 W
特征
联接螺母
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-
BUK9623-75A拓展信息








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