BUK9635-55
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NXP BUK9635-55

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型号

BUK9635-55

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK9635-55

商品类别

无类别的

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

34 A 55 V 0.035 Ohm N-channel Si Power Mosfet

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BUK9635-55
BUK9635-55 NXP 34 A 55 V 0.035 Ohm N-channel Si Power Mosfet

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BUK9635-55详情

NXP BUK9635-55重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    Axial

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    RNC50

  • 厂商

    Vishay Dale

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    PLASTIC, SOT-404, 3 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    SOT404

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK9635-55

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.29

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    34 A

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-55182/07, RNC50

  • 尺寸/尺寸

    0.070 Dia x 0.150 L (1.78mm x 3.81mm)

  • 容差

    ±1%

  • JESD-609代码

    e3

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    ±100ppm/°C

  • 电阻

    301 kOhms

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.1W, 1/10W

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 失败率

    R (0.01%)

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    34 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.035 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    136 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    45 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    85 W

  • 特征

    Military, Moisture Resistant, Weldable

  • 座位高度(最大)

    -

0个相似型号

BUK9635-55拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS