注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BUK966R5-60E
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUK966R5-60E
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BUK966R5-60E datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
起订量
--最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BUK966R5-60E详情
技术参数
NXP BUK966R5-60E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
75 A
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Manufacturer
Nexperia
Manufacturer Part Number
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
活跃
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.36
Rohs Code
有
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0065 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
452 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
196 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUK966R5-60E拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)