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技术文档
型号
BUK9675-100A
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUK9675-100A
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 23A I(D), 100V, 0.084OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
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BUK9675-100A详情
技术参数
NXP BUK9675-100A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Manufacturer
Philips Semiconductors
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
8.54
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
类型
顶部安装
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
Reach合规守则
not_compliant
配置
Single
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.700 (17.78mm)
强制空气流动时的热阻
10.02°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
23 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
98 W
自然环境下的热阻
温度上升时的耗散功率
宽度
2.400 (60.96mm)
长度
2.280 (57.90mm)
直径
BUK9675-100A拓展信息
公司资质
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