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技术文档
型号
BUK9775-55A
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUK9775-55A
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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BUK9775-55A详情
技术参数
NXP BUK9775-55A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
触点镀层
Gold
底架
Bulkhead, Front Side Nut, Panel, Through Hole
表面安装
NO
引脚数
121
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.83
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
11 A
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
终端
Solder
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle
定位的数量
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
紧固类型
Threaded
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
0.084 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
46 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Shielded
评级结果
抗环境干扰
BUK9775-55A拓展信息
公司资质
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