注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BUK9K17-60E
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUK9K17-60E
商品类别
晶体管 - IGBT - 单个
封装
Cartridge, Non-Standard
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IGBT Transistors MOSFET 60V Mosfet Dual N-Channel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BUK9K17-60E详情
技术参数
NXP BUK9K17-60E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
需要支架
包装/外壳
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Eaton - Bussmann Electrical Division
Product Status
活跃
Class
-
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
26 A
操作温度
系列
尺寸/尺寸
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
Electrical, Industrial
额定电流
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
审批机构
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
回应时间
晶体管应用
SWITCHING
保险丝类型
Cartridge
分断能力@额定电压
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.017 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
148 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
64 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
BUK9K17-60E拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:STGWT20V60DF
封装:--
品牌:NXP
库存:0
型号:MGW30N60
型号:MGW20N120
购物车 (0件产品)