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技术文档
型号
BUK9Y7R2-60E
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BUK9Y7R2-60E
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BUK9Y7R2-60E datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
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BUK9Y7R2-60E详情
技术参数
NXP BUK9Y7R2-60E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.37
Drain Current-Max (ID)
100 A
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
零件状态
类型
顶部安装
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.374 (9.50mm)
强制空气流动时的热阻
26.72°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-235
漏极-源极导通最大电阻
0.0072 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
405 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
88.2 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
167 W
自然环境下的热阻
反馈上限-最大值 (Crss)
253 pF
温度上升时的耗散功率
宽度
1.575 (40.00mm)
长度
2.362 (60.00mm)
直径
BUK9Y7R2-60E拓展信息
公司资质
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