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技术文档
型号
BYM56A
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BYM56A
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1.4 A 200 V Silicon Rectifier Diode
起订量
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BYM56A详情
技术参数
NXP BYM56A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
面板安装
表面安装
NO
房屋材料
Diallyl Phthalate (DAP), Glass Filled
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
外壳材料,完成
Lead Free Status / RoHS Status
Voltage, Rating
Contact Materials
Copper Alloy
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Forward Voltage-Max (VF)
1.25 V
Risk Rank
5.84
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
MD
包装
零件状态
活跃
终端
电线引线
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
定位的数量
9
颜色
应用
GENERAL PURPOSE
行数
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
研磨二极管
触点类型
Signal
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
入口保护
Reach合规守则
unknown
额定电流
3A
引脚数量
触点表面处理
Gold
JESD-30代码
资历状况
不合格
线规
配置
SINGLE
法兰特性
Housing/Shell (Unthreaded)
连接器样式
D-Type, Micro-D
二极管类型
接收电极
箱体转运
ISOLATED
触点形式
外壳尺寸,连接器布局
0.050 Pitch x 0.043 Row to Row
输出电流-最大值
1.4 A
相位的数量
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
最大非代表Pk前进电流
80 A
后退间距
反向电流-最大值
1 µA
反向恢复时间-最大值
3 µs
特征
触点表面处理厚度
材料可燃性等级
BYM56A拓展信息
公司资质
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