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技术文档
型号
BYV42EB
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BYV42EB
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
30 A 200 V Silicon Rectifier Diode
起订量
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BYV42EB详情
技术参数
NXP BYV42EB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Free Hanging (In-Line)
表面安装
YES
越来越多的功能
介电材料
本体材质
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
中心接触电镀
中心触点材料
Lead Free Status / RoHS Status
RoHS
Non-Compliant
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.42
操作温度
系列
包装
JESD-609代码
e3
无铅代码
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
应用
超快恢复能力
HTS代码
8541.10.00.80
紧固类型
Threaded, Threaded
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
入口保护
样式
Straight
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
阻抗
75 Ohm
二极管类型
接收电极
配套周期
输出电流-最大值
30 A
相位的数量
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
包括
插入损耗
本体饰面
转换自(适配器端)
N Plug, Male Pin
转换(适配器端)
F Jack, Female Socket
转换类型
系列之间
适配器类型
插头转插孔
中性
母转公
适配器系列
N到F
反向恢复时间-最大值
0.028 µs
特征
BYV42EB拓展信息
公司资质
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