NXP BZB784-C12

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Package

Strip

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Reference Voltage-Nom

12 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZB784-C12

Power Dissipation (Max)

0.35 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.46

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

技术

ZENER

电压 - 供电

2.8V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

频率

37.5 MHz

频率稳定性

±25ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

JESD-30代码

R-PDSO-G3

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

泽纳电极

扩频带宽

-

最大电压允差

5%

工作测试电流

5 mA

绝对牵引范围 (APR)

-

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

评级结果

-