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技术文档
型号
BZT52H-C5V1/DG
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BZT52H-C5V1/DG
商品类别
无类别的
封装
4-Square, MB-35W
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BZT52H-C5V1/DG datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
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BZT52H-C5V1/DG详情
技术参数
NXP BZT52H-C5V1/DG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
安装类型
通孔
表面安装
YES
供应商器件包装
MB-35W
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
PLASTIC PACKAGE-2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reference Voltage-Nom
5.1 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Power Dissipation (Max)
0.375 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.41
包装
Bulk
系列
--
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
技术
Standard
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-F2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
10µA @ 800V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 17.5A
平均整流电流(Io)
35A
最大电压允差
5.88%
工作测试电流
5 mA
电压 - 峰值反向(最大值)
800V
BZT52H-C5V1/DG拓展信息
公司资质
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