NXP BZV85-C68153

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Non-Compliant

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

40

Reference Voltage-Nom

68 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZV85-C68153

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.43

包装

Bulk

容差

0.1 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

787 kΩ

端子表面处理

TIN

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

100 mW

最大功率耗散

100 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

军用标准

MIL-PRF-55182

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

失败率

0.01 %

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

4 mA

反向电流-最大值

0.05 µA

电压温度系数

81 mV/°C

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

宽度

1.78 mm

长度

3.81 mm

直径

1.78 mm

无铅

含铅