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技术文档
型号
BZX884C3V9
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BZX884C3V9
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional
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BZX884C3V9详情
技术参数
NXP BZX884C3V9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
16
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Clock-Edge Trigger Type
Positive Edge
Number of Elements
RoHS
Compliant
Package Description
1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
3.9 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZX884-C3V9
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.53
Part Package Code
DFN
JESD-609代码
e3
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
ZENER
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
JESD-30代码
R-PBCC-N2
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
极性
Non-Inverting
配置
SINGLE
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
二极管类型
泽纳电极
比特数
传播延迟
14 ns
接通延迟时间
最大电压允差
5%
工作测试电流
5 mA
高电平输出电流
-24 mA
低水平输出电流
24 mA
辐射硬化
无
达到SVHC
compliant
BZX884C3V9拓展信息
公司资质
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