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技术文档
型号
MRF8P20161HSR5
品牌
NXP
utmel 编号
1786-MRF8P20161HSR5
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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MRF8P20161HSR5详情
技术参数
NXP MRF8P20161HSR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
引脚数
1230
Voltage, Rating
200 V
Case Code - in
2512
Case Code - mm
6432
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Unit Weight
0.001429 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
4000
Mounting Styles
PCB 安装
Part # Aliases
1879532-3
Manufacturer
TE Connectivity
Brand
TE Connectivity / Holsworthy
RoHS
Details
Risk Rank
5.76
Ihs Manufacturer
FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
系列
CRGV
包装
Reel
容差
5 %
无铅代码
类型
通用型
电阻
62 kOhms
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-30 °C
子类别
Resistors
额定功率
1 W
技术
厚膜
Reach合规守则
unknown
频率
2.14 GHz
终端样式
SMD/SMT
元素配置
Single
输出功率
48 W
测试电流
1.4 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
产品类别
厚膜电阻器
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
增益
18.1 dB
漏源击穿电压
测试电压
28 V
产品
贴片厚膜电阻器
特征
-
Thick Film Resistors - SMD
宽度
3.2 mm
高度
0.55 mm
长度
6.35 mm
MRF8P20161HSR5拓展信息
公司资质
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