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技术文档
型号
MRF8S8260HR5
品牌
NXP
utmel 编号
1786-MRF8S8260HR5
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Rf Power Transistor
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MRF8S8260HR5详情
技术参数
NXP MRF8S8260HR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
Screw
表面安装
YES
引脚数
880
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Description
ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
CASE 465B-03
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
225 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
飞思卡尔半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.75
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
频率
1.88 GHz
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
72 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
800 mA
漏源电压 (Vdss)
70 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
增益
16 dB
最高频率
895 MHz
漏源击穿电压
DS 击穿电压-最小值
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
测试电压
30 V
MRF8S8260HR5拓展信息
公司资质
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