NX3DV2567HR-Q100详情
NXP NX3DV2567HR-Q100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
16
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Manufacturer
恩智浦半导体
Manufacturer Part Number
NX3DV2567HR-Q100
On-state Resistance-Max (Ron)
0.85 Ω
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
HVBCC
Package Description
HVBCC,
Package Shape
SQUARE
Package Style
CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
Part Life Cycle Code
活跃
Risk Rank
5.72
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
附加功能
DATA PATH SWITCH: RON RESISTANCE IS 11 OHMS;ON-STATE RESISTANCE MATCH-0.2OHM
HTS代码
8542.39.00.01
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BUTT
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PBCC-B16
电源电压-最大值(Vsup)
4.3 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
1.4 V
通道数量
4
模拟 IC - 其他类型
4PDT
座位高度-最大
0.5 mm
断态隔离-标称
60 dB
通态电阻匹配标称
0.1 Ω
开启时间-最大值
120 ns
关机时间-最大值
90 ns
长度
3 mm
宽度
3 mm
NX3DV2567HR-Q100拓展信息








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