NXP PBSS8110S

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

830 mW

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

1 A

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

120 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

4.2 mm

高度

5.2 mm

长度

4.8 mm