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技术文档
型号
PBSS8110S
品牌
NXP
utmel 编号
1786-PBSS8110S
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1000 Ma 100 V NPN Si Small Signal Transistor TO-92
起订量
1最小包装量--
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PBSS8110S详情
技术参数
NXP PBSS8110S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
830 mW
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
1 A
最高频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
120 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
4.2 mm
高度
5.2 mm
长度
4.8 mm
PBSS8110S拓展信息
公司资质
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