PDTC123JU
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NXP PDTC123JU

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型号

PDTC123JU

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PDTC123JU

商品类别

专用 IC

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (Bjt) Single Transistor, Brt, Npn, 50 V, 230 Mhz, 200 Mw, 100 Ma, 100 Rohs Compliant: Yes

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PDTC123JU NXP Bipolar (Bjt) Single Transistor, Brt, Npn, 50 V, 230 Mhz, 200 Mw, 100 Ma, 100 Rohs Compliant: Yes

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PDTC123JU详情

NXP PDTC123JU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    100 mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • hFEMin

    100

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    切割胶带

  • 系列

    *

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    200 mW

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200 mW

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 转换频率

    230 MHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    10 V

  • 宽度

    1.35 mm

  • 高度

    1 mm

  • 长度

    2.2 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

PDTC123JU拓展信息

BF840235
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NXP USA Inc.

BAS21SW115
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NXP USA Inc.

BCW30235
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NXP USA Inc.

PSMN2R2-40PS
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BAW56W135
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74LVT573DB112
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MC68MH360AI25L557
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PH2525L115
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BZV55-C43135
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MC44BS373CAEFR2
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