PESD5V0S2BT-T/R
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NXP PESD5V0S2BT-T/R

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型号

PESD5V0S2BT-T/R

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PESD5V0S2BT-T/R

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diode TVS Dual Bi-Dir 5V 130W 3-Pin TO-236AB T/R

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PESD5V0S2BT-T/R详情

NXP PESD5V0S2BT-T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Breakdown Voltage / V

    7.5 V

  • Reverse Stand-off Voltage

    5 V

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 电容量

    45 pF

  • 工作电压

    5 V

  • 极性

    双向

  • 泄漏电流

    100 nA

  • 元素配置

    Dual

  • 箝位电压

    14 V

  • 峰值脉冲电流

    12 A

  • 峰值脉冲功率

    130 W

  • 方向

    双向

  • 测试电流

    1 mA

  • 反向击穿电压

    5.5 V

  • 宽度

    1.4 mm

  • 长度

    3 mm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

PESD5V0S2BT-T/R拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS