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技术文档
型号
PESD5V0S2BT-T/R
品牌
NXP
utmel 编号
1786-PESD5V0S2BT-T/R
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Diode TVS Dual Bi-Dir 5V 130W 3-Pin TO-236AB T/R
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PESD5V0S2BT-T/R详情
技术参数
NXP PESD5V0S2BT-T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
3
Breakdown Voltage / V
7.5 V
Reverse Stand-off Voltage
5 V
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
电容量
45 pF
工作电压
极性
双向
泄漏电流
100 nA
元素配置
Dual
箝位电压
14 V
峰值脉冲电流
12 A
峰值脉冲功率
130 W
方向
测试电流
1 mA
反向击穿电压
5.5 V
宽度
1.4 mm
长度
3 mm
辐射硬化
无
无铅
PESD5V0S2BT-T/R拓展信息
公司资质
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