PESD5Z7.0,115
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NXP PESD5Z7.0,115

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型号

PESD5Z7.0,115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PESD5Z7.0,115

商品类别

TVS - 二极管

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TVS DIODE 7VWM 19VC SOD523

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1最小包装量--

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PESD5Z7.0,115
PESD5Z7.0,115 NXP TVS DIODE 7VWM 19VC SOD523

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PESD5Z7.0,115详情

NXP PESD5Z7.0,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • Permitted cable outer temperature after assembling without vibration

    -40 - 80

  • Rated current In

    4

  • Permitted cable outer temperature during assembling/handling

    -5 - 70

  • Degree of protection (IP)

    IP67

  • Material of contact surface

    Gold

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    PESD5

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Breakdown Voltage / V

    7.5 V

  • Reverse Stand-off Voltage

    7 V

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • 系列

    *

  • 终端

    SMD/SMT

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 组成

    Zener

  • 电容量

    150 pF

  • 最大功率耗散

    180 W

  • 深度

    850 µm

  • 工作电源电压

    7 V

  • 工作电压

    7 V

  • 极性

    单向

  • 通道数量

    1

  • 泄漏电流

    10 nA

  • 元素配置

    Single

  • 电源线保护

  • 箝位电压

    15 V

  • 峰值脉冲电流

    10 A

  • 最大浪涌电流

    10 A

  • 峰值脉冲功率

    180 W

  • 方向

    单向

  • 测试电流

    1 mA

  • 反向击穿电压

    7.5 V

  • 最大击穿电压

    7.5 V

  • 单向通道数

    1

  • 最小击穿电压

    7.5 V

  • 长度

    1.25 mm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

PESD5Z7.0,115拓展信息

PRTR5V0U2AX/DG/B2215
PESD1LVDS/DG/B2115
PESD1LVDS/DG/B2115

NXP USA Inc.

PTVS26VS1UR
PTVS26VS1UR

NXP Semiconductors

IP4280CZ10,118
IP4280CZ10,118

NXP USA Inc.

BZA862A/DG/B2115
BZA862A/DG/B2115

NXP USA Inc.

PESD5V0G1BL315
PESD5V0G1BL315

NXP USA Inc.

PESD5V0R1BSF315
PESD5V0R1BSF315

NXP USA Inc.

PESD5V0X2UAMB315
PESD5V0X2UAMB315

NXP USA Inc.

PESD24VF1BSF315
PESD24VF1BSF315

NXP USA Inc.

PESD18VF1BL315
PESD18VF1BL315

NXP USA Inc.

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