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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.318691
10
¥1.244049
100
¥1.173631
500
¥1.107199
1000
¥1.044526
PQMD12Z详情
NXP PQMD12Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1010B-6
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
-
功率 - 最大
350mW
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
230MHz, 180MHz
电阻基(R1)
47kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
PQMD12Z拓展信息
NXP
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