PQMD12Z
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NXP PQMD12Z

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型号

PQMD12Z

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PQMD12Z

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

6-XFDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NOW NEXPERIA PQMD - SMALL SIGNAL

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PQMD12Z NXP NOW NEXPERIA PQMD - SMALL SIGNAL

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PQMD12Z详情

NXP PQMD12Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-XFDFN Exposed Pad

  • 供应商器件包装

    DFN1010B-6

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    -

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    150mV @ 500µA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 频率转换

    230MHz, 180MHz

  • 电阻基(R1)

    47kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47kOhms

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PQMD12Z拓展信息

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