PUMB19,115详情
NXP PUMB19,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
SOT-363
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
厂商
恩智浦半导体
Product Status
活跃
Base Product Number
PUMB19
系列
-
功率 - 最大
300mW
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
电阻基(R1)
22kOhms
电阻-发射极基极(R2)
-
PUMB19,115拓展信息
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