NXP Semiconductors BAS516,115
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BAS516,115
1786-BAS516,115
二极管 - 射频
--
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Rectifier Diode Switching 100V 0.25A 4ns Automotive 2-Pin SOD-523 T/R
--最小包装量--
BAS516,115详情
NXP Semiconductors BAS516,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
2
质量
4.535924 g
ECCN (US)
EAR99
HTS
8541.10.00.80
Maximum DC Reverse Voltage (V)
100
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
100
Maximum Continuous Forward Current (A)
0.25
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
4
Peak Forward Voltage (V)
Peak Reverse Current (uA)
0.5@80V
Maximum Diode Capacitance (pF)
1
Maximum Power Dissipation (mW)
500
Peak Reverse Recovery Time (ns)
4
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Supplier Temperature Grade
汽车
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Standard Package Name
SOD
Supplier Package
SOD-523
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Height
0.65(Max)
Package Length
1.25(Max)
Package Width
0.85(Max)
PCB changed
2
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
包装
卷带
系列
*
零件状态
活跃
类型
开关二极管
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
500 W
引脚数量
2
配置
Single
电压
100 V
元素配置
Single
电流
2 A
功率耗散
500 mW
正向电流
250 mA
最大反向漏电电流
1 µA
最大浪涌电流
4 A
正向电压
1.25 V
最大反向电压(DC)
100 V
平均整流电流
250 mA
反向恢复时间
4 ns
峰值反向电流
500 nA
最大重复反向电压(Vrrm)
100 V
峰值非恢复性浪涌电流
4 A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
4 A
恢复时间
4 ns
宽度
850 µm
高度
650 µm
长度
1.25 mm
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BAS516,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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