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技术文档
型号
BAS70-07
品牌
NXP Semiconductors
utmel 编号
1964-BAS70-07
商品类别
二极管 - 射频
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Description: SILICON, MIXER DIODE
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BAS70-07详情
技术参数
PDF文档
NXP Semiconductors BAS70-07重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
4
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Forward Voltage-Max (VF)
0.41 V
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管类型
混频器芯片
箱体转运
CATHODE
Rep Pk反向电压-最大值
70 V
反向电流-最大值
0.1 µA
反向测试电压
50 V
二极管电容-最大值
2 pF
技术文档: NXP Semiconductors BAS70-07.
BAS70-07拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:BAP70-02, 115
封装:--
品牌:pSemi
库存:0
型号:BAP65-02.115
型号:PMBD352
品牌:NXP Semiconductors
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